1. Главная
  2. Каталог
  3. Импорт Магнито-Контакт
  4. Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)

Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)

Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Активный барьер искрозащиты АБИ-1 АЯКС маркировка взрывозащиты [Ex ia Ga] IIВ / [Ex ia Ga] IIС (24В, 50мА, IP66)
Тинко-СБ
Характеристики:
Производитель: Магнито-контакт

Ток потребления, не более, мА 0.25
Проходное сопротивление, не более, Ом 5.7-8.3
Максимальная внешняя емкость (С0), мкФ 0,04мкФ(IIC)- 0,3мкФ(IIВ)
Максимальная внешняя индуктивность (L0), мГн 2мГн(IIC)-17мГн(IIВ)
Температурный диапазон, °С от -40 до +60
Срок службы, лет 10

Описание:

Барьер искрозащиты, одноканальный, активный, Uпит 24 В, Iнагр 50 мА, в герметичном корпусе IP66, Траб от -40 до +60°С. Предназначен для обеспечение искробезопасности одного шлейфа пожарной или охранной сигнализации.

Техническая документация

Ввиду того, что изделие может быть модифицировано, сведения, представленные на данной странице (изображение, характеристики, документация и т.п.), могут отличаться от фактических особенностей товара. За дополнительной информацией обращайтесь в техническую поддержку.